光学グレード単結晶シリコンインゴット


光学グレード単結晶シリコンインゴット
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| 製品名 | 光学グレード単結晶シリコンインゴット |
| サイズ | 4インチ、5インチ、6インチ、8インチ;ご要望に応じて特注サイズにも対応可能 |
| 抵抗率範囲 | お客様の要件に応じてカスタマイズ可能 |
| 導電型 | N型、P型 |
| 結晶方位 | <100>、<111>;特殊な結晶方位もご要望に応じて対応可能 |
| ドーパント | N型:リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb);P型:ホウ素(B) |
赤外線およびフォトニクス用途向け光学グレードシリコン
光学グレードの単結晶シリコンインゴットは、赤外線光学、光電子デバイス、シリコンフォトニクス、先端センシングシステム向けに設計された高純度シリコン材料です。優れた結晶均一性、安定した電気特性、赤外線波長帯における信頼性の高い光学性能を備え、単結晶シリコンは高精度な光学・半導体用途に不可欠な材料基盤を提供します。
これらのインゴットは、お客様の要件に応じてウエハーや光学部品へスライス・加工でき、赤外線センシング、レーザー測距、シリコンフォトニクス、MEMSデバイス、高性能半導体システムなどの用途を支えます。
主な特長
- 中波・長波赤外線用途に優れた赤外線光学性能。
- 高い結晶完全性により、安定した光学・電気性能を実現。
- 抵抗率、導電型、結晶方位、ドーパント選定をカスタマイズ可能。
- 半導体ウエハー加工およびマイクロファブリケーションに対応。
- 赤外線センサー、フォトディテクタ、MEMS構造、シリコンフォトニクスデバイスに適しています。
適用分野
赤外線光電子デバイス
単結晶シリコンは、主要な赤外線波長帯で優れた光学特性を持つため、赤外線光電子用途で幅広く使用されています。高級赤外線光学システム、赤外線センシングモジュール、精密光学部品に適しています。
シリコンフォトニクス
シリコンフォトニクスでは、単結晶シリコンを用いてシリコンベースの導波路、変調器、グレーティングカプラを構築でき、データセンターや通信システムにおける高速光インターコネクトを実現します。従来の電気信号伝送を光信号伝送に置き換えることで、シリコンフォトニクスは帯域幅の向上、遅延の低減、エネルギー効率の改善に貢献します。
シリコンベースのフォトディテクタ
単結晶シリコンは、そのキャリア移動度と半導体特性により、高速かつ高感度な光電信号変換を実現できます。レーザー測距、光センシング、近赤外検出システムに広く使用されています。
MEMS用光学・自動車センサー
単結晶シリコンは、高い弾性率、低疲労特性、異方性結晶構造を備えているため、MEMSデバイスにとって理想的な基板でもあります。DRIEなどのマイクロファブリケーション工程により、シリコンは加速度計、圧力センサー、ジャイロスコープ、マイクロミラーへ加工でき、自動車安全システム、LiDAR、精密センシング用途に用いられます。
LiDAR用マイクロミラー
単結晶シリコンの機械的弾性を活かし、MEMSマイクロミラーは、高周波のレーザービーム制御を実現し、コンパクトな車載LiDARおよび3次元センシングシステムに貢献します。
カスタム仕様に対応
Sispreadでは、お客様のご要望に応じて、サイズ、比抵抗範囲、導電型、結晶方位、ドーパント選定を含む光学グレード単結晶シリコンインゴットのカスタマイズが可能です。赤外線光学システム、シリコンフォトニクス基板、先端センサー製造向けの特殊仕様もご要望に応じて対応いたします。
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