2025年6月24日、晶盛機電、浙江大学集積回路学院、浙江創新は戦略協力協定を締結し、『先進集積回路装置・プロセス共同研究開発センター』と『集積回路人材育成・技術革新の産学連携センター』の2つのセンターを共同で設立する。産学研の融合を通じて、国産集積回路装置の突破を加速させる。   3者は12インチシリコンエピタキシャル装置とプロセスの共同研究開発に注力し、人材吸引と教育の仕組みを構築し、産業と教育の融合を推進する。晶盛機電の産業化、浙江大学の研究力、浙江創新のプラットフォーム転換の強みを融合し、『基礎研究－技術突破－成果転化－産業応用』のクローズドループを構築して、装置のボトルネック技術を打破し、複合型人材を育成し、業界の中核競争力を高めることを目指す。   ジンシェン・エレクトロメカニカルは、中国を代表する半導体材料装置企業であり、浙江大学集積回路学院における強力な研究力と、浙江創新が運営する省レベルの12インチ集積回路イノベーションプラットフォームを有しています。これまでジンシェンは、長江デルタシリコンウエハー研磨技術コンソーシアムを主導してきました。今回の協力により、装置の国産化、コスト削減、効率向上がさらに促進され（コストは約20％削減見込み）、国内の集積回路産業チェーンの自主的かつ制御可能な発展を後押しします。

2025年10月、天成半導体は12インチシリコンカーバイドの研究開発で大きな突破を発表した。自社開発の長結晶装置を基に、高純度の半絶縁型およびN型12インチSiC単結晶の製造に成功した。N型結晶の有効厚みは35mmを超え、自社開発装置では最大350mmの単結晶を製造可能である。同時に、2種類の単結晶の成熟した製造プロセスも確立した。  同社は2021年に設立され、シリコンカーバイド基板および長結晶装置の研究開発・製造に深く取り組んできた。技術進化の歩みも明確で、2022年には6インチSiCインゴットの小ロット生産を実現し、2023年には8インチ技術を突破、2024年には厚み均一性誤差を2ミクロン以内に制御した8インチ量産を達成した。2025年7月までに、12インチN型SiCの核心工程を業界で先駆けて克服し、抵抗炉プロセスを革新して成長速度のボトルネックを打破、マイクロチューブ密度を大幅に低減し、歩留まり65％を実現した。現在、同社は単結晶炉、粉末調製から大規模結晶成長・加工までの完全な生産ラインを構築し、SiC全工程の自立・制御可能な技術を確立。第3世代半導体基板の国産化における中核競争力を強化している。

このほど、国内の半導体用シリコン材料分野で重要な動きがあった。400万元を投じて、包頭に大規模な半導体用シリコン単結晶基地を建設する研究用シリコン投資が行われた。完成後の年間単結晶シリコン生産量は1,000トンを超える見込みで、2027年12月に効果が現れると予想されている。  上海合晶は最大9億元の追加資金を調達し、その重点を12インチ大口径シリコンウェハーの産業化に投じ、国産化代替を後押しする方針だ。現在、世界の半導体用シリコンウェハー市場は寡占状態で、上位5社で約90％を占めており、先端工程の位置付けも加速している。中国は現在、国産化代替の重要な局面にあり、上海硅産業などの企業が規模拡大に向けた突破を進めている。業界関係者によると、この業界は参入障壁が高く、長いサイクルを要するため、国内企業が国際大手との連携を最適化する動きにより競争は一段と激化するだろう。国産化代替のプロセスは、中国の関連産業の高品質な発展を促進する。